Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeпрадуктыІндустрыяльны смарт -модульны аксэсуарыТэхнічныя характарыстыкі модуля памяці DDR3 UDIMM

Тэхнічныя характарыстыкі модуля памяці DDR3 UDIMM

тып аплаты:
L/C,T/T,D/A
Інкатэрм:
FOB,EXW,CIF
мінімум заказ:
1 Piece/Pieces
транспарт:
Ocean,Air,Express,Land
  • Апісанне Прадукта
Overview
Атрыбуты прадукту

мадэль №NSO4GU3AB

Магчымасць паставак і...

транспартOcean,Air,Express,Land

тып аплатыL/C,T/T,D/A

ІнкатэрмFOB,EXW,CIF

Ўпакоўка і дастаўка
Продаж адзінак:
Piece/Pieces

4 Гб 1600 МГц 240-кантактны DDR3 UDIMM


Гісторыя перагляду

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Інфармацыйная табліца замовы

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Апісанне
Hengstar Unmbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (Unmbuffered Double Data Synchronous DRAM DUAL In-LINE MEMULE)-гэта нізкая магутнасць, хуткасныя модулі памяці, якія выкарыстоўваюць прылады DDR3 SDRAM. NS04GU3AB-гэта 512M X 64-бітны два рангу 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM UNBUFFERED DIMM, заснаваны на шаснаццаці 256 м х 8-бітных кампанентаў FBGA. SPD запраграмаваны да стандартнай затрымкі JEDEC DDR3-1600 тэрмінаў 11-11-11 пры 1,5 У. Кожны 240-кантактны DIMM выкарыстоўвае залатыя кантактныя пальцы. SDRAM UNBUFFERED DIMM прызначаны для выкарыстання ў якасці асноўнай памяці пры ўсталёўцы ў такіх сістэмах, як ПК і працоўныя станцыі.


Асаблівасці
Power харчаванне: VDD = 1.5V (1,425V да 1,575V)
VDDQ = 1,5V (1,425V да 1,575V)
FCK FCK для 1600 Мб/сек/штыфт
8 Незалежны ўнутраны банк
 Праграмаваны затрымка CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Праграмаваную затрымку дабаўкі: 0, Cl - 2 або Cl - 1 гадзіннік
8-бітны папярэдні зварот
Даўжыня Burst: 8 (Interleave без якіх -небудзь абмежаванняў, паслядоўны з стартавым адрасам "толькі 000"), 4 з TCCD = 4, што не дазваляе бесперашкодна чытаць альбо пісаць [альбо на хаду, выкарыстоўваючы A12, альбо MRS]
Bi-кіруе дыферэнцыяльнымі дадзенымі строба
 Інтэрнэт -каліброўка (самаадчуванне); Унутраная каліброўка самастойна праз штыфт ZQ (RZQ: 240 Ом ± 1%)
on die скасаванне пры дапамозе штыфта ODT
 Оверт -перыяд абнаўлення 7,8U на ніжэйшы за TSACE 85 ° C, 3,9US пры 85 ° C <TSACE <95 ° C
asynchronous Reset
 Адрэгулюецца сіла прывада дадзеных-вываду
Fly-by тапалогія
PCB: Вышыня 1,18 ”(30 мм)
ROHS, якія адпавядаюць і без галагена


Ключавыя параметры часу

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Адрас табліцы

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Апісанні штыфта

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Заўвагі : У табліцы апісання PIN ніжэй прыведзены вычарпальны спіс усіх магчымых штыфтоў для ўсіх модуляў DDR3. Усе пералічаныя штыфты могуць быць не падтрымліваецца на гэтым модулі. Гл. Заданні PIN -кода для інфармацыі, характэрнай для гэтага модуля.


Функцыянальная блок -схема

4GB, модуль 512mx64 (2Rank x8)

1


2


нататка:
1. Шар ZQ на кожным кампанентам DDR3 падключаецца да знешняга рэзістара 240 Ом ± 1%, які прывязаны да зямлі. Ён выкарыстоўваецца для каліброўкі драйвера спынення і вываду кампанента.



Памеры модуля


Выгляд спераду

3

Выгляд спераду

4

Заўвагі:
1. Усе памеры ў міліметрах (цалі); Макс/мін альбо тыповы (тып), дзе адзначана.
2. Воларасць пры ўсіх памерах ± 0,15 мм, калі не паказана іншае.
3. Памерная схема прызначана толькі для даведкі.

катэгорыі прадуктаў : Індустрыяльны смарт -модульны аксэсуары

Адправіць паведамленне гэтаму пастаўшчыку
  • *прадмет:
  • *да:
    Mr. Jummary
  • *E-mail:
  • *паведамленне:
    Ваша паведамленне павінна быць паміж 20-8000 сімвалаў
HomeпрадуктыІндустрыяльны смарт -модульны аксэсуарыТэхнічныя характарыстыкі модуля памяці DDR3 UDIMM
адправіць запыт
*
*

дома

Product

Phone

Пра нас

запыт

Мы звяжамся з вамі неадкладна

Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі

Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.

паслаць